4.电力设备和三相交流技术
两相交流电是用四根电线输电的技术。德国的多勃罗沃尔斯基在绕组上想出了窍门，从绕组上每隔120度的三个地方引出抽头，得到了三相交流电。1889年，利用这种三相交流电的旋转磁场，制成了功率为100w的最早的三相交流电动机。
同年，多勃罗沃尔斯基又开发出了三相四线制交流接线方式，并在1891年的法兰克福输电实验（150va三相变压器）中获得了圆满成功。
8.电子电路元器件的历史
当代，是包括计算机在内的电子学繁荣昌盛的时代，其背景与电子电路元器件由电子管-晶体管=集成电路的不断发展有着密切的关系。
1.电子管
电子管是沿着二极管-三极管-四极管-五极管的顺序发明出来的。
二极管：前面曾经讲过，爱迪生发现了电灯泡灯丝发射电子的“爱迪生效应”。1904年，英国人弗莱明受到“爱迪生效应”的启发，发明了二极管。
三极管：1907年，美国的福雷斯特发明了三极管。当时，真空技术尚不成熟，三极管的制造水平也不高。但在反复改进的过程中，人们懂得了三极管具有放大作用，终于拉开了电子学的帷幕。
振荡器也从上面所讲过的马可尼火花装置发展为三极管振荡器。三极管有三个电极，阳极，阴极和设置在二者之间的控制栅极。这个控制栅极是用来控制阴极所发射的电子流的。
四极管：1915年，英国的朗德在三极管的控制栅极与阳极之间又加了一个电极。称为帘栅极，其作用是解决三极管中流向阳极的电子流中有一部分会流到控制栅极上去的问题。
五极管：1927年。德国的约布斯特在阳极与帘栅极之间又加了一个电极，发明了五极管。新加的电极被称为抑制栅。加入这个电极的原因是：在四极管中，电子流撞到阳极上时阳极会产生二次电子发射，抑制栅就是为抑制这种二次电子发射而设置的。
此外，1934年美国的汤绿森通过对电子管进行小型化改进，发明了适用于超短波的橡实管。
管壳不用玻璃而采用金属的管发明于193>
2.晶体管
半导体器件大致分为晶体管和集成电路（ic）两大部分。第二次世界大战后，由于半导体技术的进步，电子学得到了令人瞩目的发展。
晶体管是美国贝尔实验室的肖克莱。巴丁，布拉特在1948年发明的。
这种晶体管的结构是使两根金属丝与低掺杂锗半导体表面接触，称为接触型晶体管。
&年，开发出了结型晶体管，在实用化方面前进了一大步。
&年开发出了制造p型和n型半导体的扩散法。它是在高温下将杂质原子渗透到半导体表层的一种方法。1960年开发出了外延生长法并制成了外延平面型晶体管。外延生长法是把硅晶体放在氢气和卤化物气体中来制造半导体的一种方法。
有了半导体技术的这些发展，随之就诞生了集成电路。
3.集成电路
大约在1956年，英国的达马就从晶体管原理预想到了集成电路的出现。
&年美国提出了用半导体制造全部电路元器件，实现集成电路化的方案。
&年，得克萨斯仪器公司开始批量生产集成电路。
集成电路并不是用一个一个电路元器件连接成的电路。而是把具有某种功能的电路“埋”在半导体晶体里的一个器件。它易于小型化和减少引线端，所以具有可靠性高的优点。
集成电路的集成度在逐年增加。元件数在100个以下的小规模集成电路，100~1000个的中规模集成电路，1000~100000个大规模集成电路。以及100000个以上的超大规模集成电路，都已依次开发出来，并在各种装置中获得了广泛应用。
电磁效应
物质中的电效应是电学与其他物理学科(甚至非物理的学科)之间联系的纽带。物质中的电效应种类繁多。有许多已成为或正逐渐发展为专门的研究领域。比如：
电致伸缩、压电效应(机械压力在电介质晶体上产生的电性和电极性)和逆压电效应、塞贝克效应、珀耳帖效应(两种不同金属或半导体接头处，当电流沿某个方向通过时放出热量。而电流反向时则吸收热量)、汤姆孙效应(一金属导体或半导体中维持温度梯度，当电流沿某方向通过时放出热量。而电流反向时则吸收热量)、热敏电阻(半导体材料中电阻随温度灵敏变化)、光敏电阻(半导体材料中电阻随光照灵敏变化)、光生伏打效应(半导体材料因光照产生电位差)，等等。
对于各种电效应的研究有助于了解物质的结构以及物质中发生的基本过程，此外在技术上，它们也是实现能量转换和非电量电测法的基础。
电磁测量
也是电学的组成部分。测量技术的发展与学科的理论发展有着密切的联系，理论的发展推动了测量技术的改进；测量技术的改善在新的基础上验证理论，并促成新理论的发现。
电磁测量包括所有电磁学量的测量，以及有关的其他量(交流电的频率、相角等)的测量。利用电磁学原理已经设计制作出各种专用仪表(安培计，伏特计、欧姆计、磁场计等)和测量电路，它们可满足对各种电磁学量的测量。
电磁测量的另一个重要的方面是非电量(长度、速度、形变、力、温度、光强、成分等)的电测量。它的主要原理是利用电磁量与非电量