事情确实需要一步一步的来，但是有了姚飞这个bug，再应用另一种新技术，完全没什么大不了的。
“姚先生，你的意思是，使用区熔法技术？可是现在我们连技术图纸都没有，更别说进行改造了……”
区熔法，这种技术他已经听姚飞说过很多次了，原本以为还需要过一段时间等他们制造出99.9的硅晶棒才可以用到，但是他完全没想到姚飞使用的这么急切！
他们完全可以通过一次次开炉收集数据，然后进行对比分析，虽然会多花费一些时间、一些投入资金，但是这样一来完全可以减少许多技术浪费，而在布雷迪这样的专家眼里，每一种技术都非常珍贵，容不得丝毫浪费。
“图纸，这个很简单，一会我就可以画给你，至于怎么改装，这个还是得靠教授你来想办法了，我会详细的向你解释区熔法的原理，以及它每一个部件的详细功能，一些不同的操作步骤也会向你仔细说明……”
对于布雷迪的说法姚飞不置可否，径直走到办公桌边，拿起纸笔、尺子，姚飞便开始了区熔法生长炉图纸的绘制工作。
首先是起稳定作用的底座，底座内装有坩埚上升旋转机构，接着是主熔室，上下炉壁内使用真空泵抽真空。
外壁层向里，之后分别是绝缘层、加热组件、石墨坩埚，在炉室的另一侧配置直径控制传感器，颈口部位使用隔离阀确保单晶硅生长时炉内气体外泄。
外延烟囱状部位内有引导籽晶的吊绳，以及惰性气体氩气的进气口。最上方使用上升旋转机构封口。
最后，配上集合控制各个部位操作的控制系统，这样立式悬浮区熔法的图纸就算是绘制完毕了。
“教授，这就是大致的垂直区熔法设备的图纸了，值得注意的是，区熔法和直拉法的加热方式是有很大区别的，直拉法采用的是电阻加热直接将固体多晶硅加热成熔融状态从而进行生长。
而区熔法是利用电子轰击、高频感应或者是光学聚焦法将一段多晶硅区域融化，使液体靠表面张力支持而不坠落，然后靠移动多晶硅或者加热器使熔区移动。
这种方法不使用石英坩埚，能避免坩埚污染，由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶！”
贪多嚼不烂，至于更加先进的分室区熔技术，还是等下一阶段的试验成果出来再说吧，姚飞心里如是想到，如果要是此刻布雷迪知道姚飞心里的想法，估计得破口大骂，你丫的脑子里到底有多少新技术，难道就不能一口气说完，害他到现在一直像个吝啬的管家一样，满脑子里想着的都是怎么将每一种技术的潜力挖到极致……
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